以极具性价比的优势购买EverSpin公司电子元器件，深圳市南皇电子有限公司是您的首要选择！
MRAM 和 ST-MRAM
EverSpin代理商战略合作伙伴！南皇电子正致力打造全球性混合IC代理商先锋模范，帮助厂商以最优化的方式降低成本，缩短交期，增加竞争力，是国内外众多电子产品制造商首选的元器件及IC供应商。
离散、嵌入式磁阻 RAM (MRAM)
Everspin 与 GLOBALFOUNDRIES 合作，在包括 40nm、28nm 及更远的先进技术节点上进行平面内和垂直 MTJ ST-MRAM 的完整交钥匙 300mm 大批量生产。
转动扭矩 MRAM (ST-MRAM)
Everspin 拥有 600 多项有效专利和应用的知识产权组合，在平面内和垂直磁隧道结 (MTJ) STT-MRAM 位单元的开发方面处于市场领先地位。
磁存储器设计、制造和交付
Everspin 在磁存储器设计、制造和交付相关应用方面的知识和经验在半导体行业中是独一无二的。
关于EverSpin Technologies公司：
EverSpin公司总部位于亚利桑那州钱德勒，是设计、制造和商业化分立和嵌入式磁阻 RAM (MRAM) 和自旋转移力矩 MRAM (STT-MRAM) 进入数据持久性和应用程序的市场和应用领域的全球领导者。完整性、低延迟和安全性至关重要。Everspin 拥有超过 1.2 亿个 MRAM 和 STT-MRAM 产品部署在数据中心、云存储、能源、工业、汽车和交通运输市场，建立了世界上最强大和增长最快的 MRAM 用户基础...
多种因素促成了 nvNITRO 存储加速器的速度，包括 Everspin 的新型 1Gbit 自旋扭矩磁阻式 RAM (ST-MRAM)，具有高速、DDR4、SDRAM...
Everspin 将其 256Mb STT-MRAM 吹捧为首款进入量产的垂直 MTJ STT-MRAM。Patla 表示，其 ST-DDR3 / ST-DDR4 接口的设计尽可能接近...
EverSpin有哪些电子元器件产品线?
自旋转移扭矩 MRAM 产品
STT-MRAM产品
并行接口 MRAM
256Mb STT-MRAM (ST-DDR3)
8位并行接口MRAM
1Gb STT-MRAM (ST-DDR4)
16位并行接口MRAM
非易失性存储器
串行外设接口
自旋转移扭矩 MRAM 技术
四路串行外设接口
Toggle MRAM 技术
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