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Everspin 推出了基于 MRAM 的 nvNITRO NVMe 存储加速卡

本周,Everspin 推出 了基于 MRAM 的 nvNITRO NVMe 存储加速卡系列 ,具有令人难以置信的性能规格:随机 4Kbyte 混合 70/30 读/写操作的 IOPS 高达 146 万次。在 IOPS 的世界中,这是非常快的。事实上,它比英特尔 P4800X Optane SSD 卡快大约 3 倍, 英特尔 P4800X Optane SSD 卡被指定为高达 500K IOPS,用于随机 4Kbyte 混合 70/30 读/写操作。多种因素促成了 nvNITRO 存储加速器的速度,包括 Everspin 的新型 1Gbit 自旋扭矩磁阻式 RAM  (ST-MRAM),具有高速、DDR4、SDRAM 兼容的 I/O;与 NVMe 1.1+ 兼容的高性能 MRAM 专用内存控制器 IP 块;和 Xilinx Kintex UltraScale KU060 FPGA 它实现了 MRAM 控制器和主板的 PCIe Gen3 x8 主机接口。Everspin 的 nvNITRO NVMe 卡将于 2017 年第四季度由EverSpin代理商发货,容量为 1 GB 和 2 GB。

 

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