Everspin Technologies 希望，随着其 MRAM 产量的增加，特定行业将更青睐价值而非每比特价格。

MRAM 先驱者刚刚发布了一份与 SMART Modular Technologies 联合交付的 nvNITRO 解决方案的应用白皮书。根据 Pat Patla 的说法，两家公司合作开发了 nvNITRO NVMe 存储加速器，并专注于联合开发多个垂直市场，首先是金融技术 (FinTech) 领域，nvNITRO 可以增加数据吞吐量并减少关键存储瓶颈，Everspin 营销高级副总裁。

Patla 在接受 EE Times 的电话采访时表示，nvNITRO NVMe 存储加速器可以将金融交易的延迟减少 90%，这有助于金融科技公司满足经常需要同步日志记录的合规性规则。这会增加延迟并造成事务处理瓶颈。如白皮书所述，nvNITRO 显着降低延迟的能力使金融科技公司能够更快地记录交易，从而增加整体交易量，并最终增加收入。同时，STT-MRAM 的持久性也有助于必要的合规性，因为所有数据日志都受到保护。

随着 Everspin 开始大规模生产其 STT-MRAM，垂直焦点随之而来。EverSpin代理商在 2017 年第四季度实现了其首个 40nm 256Mb STT-MRAM 产品的收入记录的一个显着里程碑，并在 2018 年增加其量产。有少数公司在使用 MRAM，但 Everspin 是唯一一家商业化的公司提供分立和嵌入式 MRAM 产品，部分归功于与 GlobalFoundries 的合作。

Everspin 将其 256Mb STT-MRAM 吹捧为首款进入量产的垂直 MTJ STT-MRAM。Patla 表示，其 ST-DDR3 / ST-DDR4 接口的设计尽可能接近标准，因此客户可以通过一些微小的更改轻松地将其集成到他们的系统中，主要是内存控制器。Everspin 的 STT-MRAM 也符合 NVMe 标准。

Patla 承认，在制定标准之前，客户会担心独家采购该技术。“DDDR5 是每个人都聚集的地方，”他说。

该公司通过提供接近 DRAM 的性能和非易失性，专注于需要快速、持久内存的领域。“闪存在旋转媒体旁边提供了出色的性能，但与 DRAM 或 MRAM 相比，它的速度要慢得多，”Patla 说。他将自旋扭矩 MRAM 描述为一个三足凳，由性能、耐力和钻头空气速率组成，具有非易失性。

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Everspin 的 MRAM 技术使用垂直 MTJ。该公司已开发出具有高垂直磁各向异性的材料和垂直 MTJ 堆叠设计，可提供长数据保留、小单元尺寸、更大密度、高耐用性和低功耗。

除了看到采用 MRAM 价值的金融科技等特定垂直行业，Patla 表示，Everspin 的目标是三个领域：人工智能 (AI)、边缘计算和数字化转型，其中包括数据中心应用。由于 MRAM 仅用户在读写时供电，因此随着数据中心外部处理需求的增加和物联网部署的增长，它非常适合边缘计算环境。

Patla 说，价格不是 MRAM 采用的关键驱动因素。相反，需要快速、持久内存的特定应用程序正在指导客户的决策。“人们购买的依据是价值主张，而不是每 GB 的美元，”他说。 

Coughlin Associates 创始人 Thomas Coughlin 表示，目前 MRAM 的价格仍然很高，但它是最有趣的新兴内存技术，因为它的性能接近 SRAM 和 DRAM，而且它的耐用性非常高。Coughlin 说，MRAM 对缓存缓冲和特定应用很有意义，例如用于金融应用的 nvNITRO NVMe 存储加速器。

“快速进行交易很重要，但记录也同样重要，”Coughlin 说。“这是一个有趣的案例研究。时间就是金钱，他们赚的比花的多。”

Coughlin 表示，专业的利基市场愿意为 MRAM 的速度和非易失性的结合买单。他指出，Everspin 的出货量已经超过 7000 万台，它与 GlobalFoundries 的晶圆和嵌入式产品合作为增加产量提供了可能性。满足吸引更多销量的利基市场将有助于 Everspin 的 MRAM 变得更加主流。“这就是 GlobalFoundries 产品的用武之地，”他说。

Coughlin 表示，三星和台积电今年也将生产 MRAM 产品，这增强了 MRAM 的有趣可能性。“这让我认为人们普遍认为 MRAM 占有一席之地，”他说。

随着其他 MRAM 制造商的成熟，例如 Spin Transfer Technologies，竞争可能导致价格受到挤压。Coughlin 表示，拥有多个供应商会创造一个更有活力的市场，而 2018 年将是发展可行供应链的重要一年。

MRAM 不会立即在任何应用中取代 SRAM 和 DRAM，Coughlin，但这些存储器和 NAND 闪存之间存在差距需要填补。“3D Xpoint 正试图填补这一空白，但与 DRAM 相距甚远，”他说。同样重要的是要记住，闪存需要几十年才能与硬盘竞争，他补充说。

与此同时，ReRAM 和 FRAM 作为填补 DRAM 和闪存之间空白的新兴存储器都值得关注，Coughlin 说。“这是一个名副其实的技术动物园，我们将不得不拭目以待，看看哪些动物在进化过程中幸存下来，”他补充道。