GSI Technology 的 SRAM 具有多种密度、封装和设计选项。

GSI 技术同步突发 SRAM 图片GSI Technology 的 NBT SRAM 一直是中端数据采集设计的主力军，已有 15 多年的历史，并且可以提供各种密度、封装和设计选项。这些 SRAM 还带有长期存储 IC 支持计划。

SyncBurst SRAM 可针对单个时钟信号提供 2 到 4 个字的“突发”响应。SyncBurst SRAM 适合需要中端性能点（通常为 333 MHz 至 166 MHz 时钟速率）的网络、工业、汽车和医学成像应用。

特性

FT 引脚，用于用户可配置的直通或管道操作

双周期取消选择 (DCD) 操作

2.5 V 或 3.3 V ±10% 内核电源

2.5 V 或 3.3 V I/O 电源

LBO 引脚用于线性或交错猝发模式

模式引脚上的内部输入电阻器允许浮动模式引脚

默认为交错流水线模式

字节写入 (BW) 和/或全局写入 (GW) 操作

内部自定时写周期

便携式应用自动断电

符合 RoHS 要求的 100 引线 TQFP 以及 119 和 165 焊球 BGA 封装

有关样品、详细规格、价格和交货报价及更多信息，请联系当地的GSI代理商进行询问。