据相关人士消息，ESMT公司将再建设包括DRAM总部研发中心在内的DRAM事业群总部、DRAM存储芯片制造工厂，据悉，DRAM存储芯片制造工厂计划于2019年底开工建设，预计2021年建成投产。

DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM／FastPage、EDORAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM 和WRAM。DRAM也叫动态随机存取存储器，DRAM 只能将数据保持很短的时间，所以需要定时刷新。由于DRAM的特性决定，DRAM能存储电荷的时间非常短暂，这样它需要在电荷消失之前进行刷新，直到下次写入数据或者计算机断电才停止。每次读写操作都要刷新DRAM内的电荷，因此DRAM设计为有规律的读取其内的内容。

在全球的DRAM芯片市场上，韩国三星和海力士，美国的镁光、英特尔、闪迪，日本的东芝六家厂商，垄断了全球九成的产量。其中仅三星、海力士、东芝三家，就占了八成的份额。DRAM芯片作为存储芯片市场的主力，近年来，随着存储价格的走低，对整个市场影响很大，不管是上游制造商还是分销商、客户等，市场走低势必影响投入，而ESMT公司本次的加大投入也预示着行业正在回暖，市场前景仍广阔。