领先的碳化硅 (SiC) 功率半导体制造商 UnitedSiC 推出了基于其先进的第 4 代 SiC FET 技术平台的首批四款器件。作为目前市场上第一个也是唯一一个 750V SiC FET，这些第 4 代器件基于领先的品质因数 (FoM) 实现了新的性能水平，有利于汽车、工业充电、电信整流器、数据中心 PFC 和DC-DC转换以及可再生能源和储能。

这些新的 SiC FET 提供 18 和 60 mohm 选项，可提供无与伦比的 FoM，每单位面积的导通电阻降低，并且固有电容低。在硬开关应用中，第 4 代 FET 表现出最低的 RDS(on) x EOSS (mohm-uJ)，从而降低了开启和关闭损耗。在软开关应用中，它们的低 RDS(on) x Coss(tr) (mohm-nF) 规格可提供更低的传导损耗和更高的频率。这些器件不仅在低温 (25C) 或高温 (125C) 运行时都超越了现有的竞争性 SiC MOSFET 性能，而且还提供最低的积分二极管 V F和出色的反向恢复，从而降低死区时间损耗并提高效率。

在将 UnitedSiC 的产品扩展到 750V 的过程中，新器件为设计人员提供了更多空间并减少了设计限制。这种更高的 VDS 额定值也使这些 FET 有利于 400/500V 总线电压应用。凭借 +/-20V、5V Vth 的广泛兼容栅极驱动，所有器件都可以在 0 至 +12V 栅极电压下驱动。这意味着它们可以与现有的 SiC MOSFET、Si IGBT 和 Si MOSFET 栅极驱动器配合使用。

正如 UnitedSiC 工程副总裁 Anup Bhalla 所解释的那样：“这些设备有助于解决工程师在电压和功率需求最高的领域工作所面临的挑战——从 DC-DC 转换和车载充电到功率因数校正和太阳能逆变器。

“我们将在未来 9 个月内发布许多新的第 4 代设备，这将进一步提高成本效益、热效率和设计空间。这将支持所有部门克服大规模采用的挑战并加速创新。”

新型 750V 第 4 代 SiC FET 的价格（1000 片以上，美国离岸价）从 UJ4C075060K3S 的 3.57 美元到 UJ4C075018K4S 的 7.20 美元不等。所有设备均可从授权UnitedSiC代理商处获得。

四种 SiC FET 器件如下：

UJ4C075018K3S 18mohm TO247-3L

UJ4C075018K4S 18mohm TO247-4L

UJ4C075060K3S 60毫欧 TO247-3L

UJ4C075060K4S 60毫欧 TO247-4L