随着场截止沟槽技术的引入，Micro Commercial Components 继续在功率半导体市场扩展产品。第一个 IGBT 器件允许最大 650 V 和 1200 V 的电压产生 40 A 的电流。其他电压和电流值正在开发中。场截止沟槽技术可提供低传导性（低 Vce (sat)）和低开关损耗（低 EOFF），并且由于正温度系数而允许并联。这些 IGBT 的典型应用是电机或可再生能源、UPS、焊接和感应加热的逆变器所需的半桥或全桥拓扑。

特性

低 Vce(sat) 实现快速开关

Vce(sat) 具有正温度系数

坚固耐用，热稳定性好

非常严格的参数分配

无卤素

环氧树脂达到 UL 94 V-0 可燃性等级

无铅表面、符合 RoHS 规范

应用

逆变器驱动

太阳能逆变器

UPS

焊接

感应加热

有关这些产品的更多信息，请联系当地的MCC代理商进行询问。