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图片信息

TPH3205WSBQA
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基本技术信息：

技术参数详解：

  • 制造商产品型号：TPH3205WSBQA
  • 制造商：Transphorm
  • 描述：GANFET N-CH 650V 35A TO247-3
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：Automotive, AEC-Q101
  • 零件状态：不用於新
  • FET类型：N 通道
  • 技术：GaNFET（氮化镓）
  • 漏源电压（Vdss）：650V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：35A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：62 毫欧 @ 22A，8V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.6V @ 700A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：42nC @ 8V
  • Vgs（最大值）：±18V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2200pF @ 400V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：125W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 器件封装：TO-247-3
  • TPH3205WSBQA均从Transphorm代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
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