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图片信息

TP65H050WSQA
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基本技术信息：

技术参数详解：

  • 制造商产品型号：TP65H050WSQA
  • 制造商：Transphorm
  • 描述：GANFET N-CH 650V 36A TO247-3
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：Automotive, AEC-Q101
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：GaNFET（共源共栅氮化镓 FET）
  • 漏源电压（Vdss）：650V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：36A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：60 毫欧 @ 25A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.8V @ 700A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：24nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1000pF @ 400V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：150W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 器件封装：TO-247-3
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