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图片信息

TPD3215M
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基本技术信息：

技术参数详解：

  • 制造商产品型号：TPD3215M
  • 制造商：Transphorm
  • 描述：GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：2 个 N 通道（半桥）
  • FET功能：GaNFET（氮化镓）
  • 漏源电压（Vdss）：600V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：70A（Tc）
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：34 毫欧 @ 30A，8V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：-
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：28nC @ 8V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2260pF @ 100V
  • 功率-最大值：470W
  • 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 封装：模块
  • TPD3215M均从Transphorm代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
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