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图片信息

TP65H070LDG
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基本技术信息:

技术参数详解:

  • 制造商产品型号:TP65H070LDG
  • 制造商:Transphorm
  • 描述:GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:TP65H070L
  • 零件状态:有源
  • FET类型:N 通道
  • 技术:GaNFET(共源共栅氮化镓 FET)
  • 漏源电压(Vdss):650V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):25A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):85 毫欧 @ 16A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):4.8V @ 700A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):9.3nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):600pF @ 400V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):96W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:3-PQFN(8x8)
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