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图片信息
TP65H035WS图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:TP65H035WS
  • 原始制造厂商:Transphorm
  • 技术标准参数:GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 点击此处下载TP65H035WS的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • 制造商产品型号:TP65H035WS
  • 制造商:Transphorm
  • 描述:GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:-
  • 零件状态:有源
  • FET类型:N 通道
  • 技术:GaNFET(共源共栅氮化镓 FET)
  • 漏源电压(Vdss):650V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):46.5A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):12V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):41 毫欧 @ 30A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):4.8V @ 1mA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):36nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1500pF @ 400V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):156W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 器件封装:TO-247-3
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