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图片信息

GT30J324(Q)
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基本技术信息：

技术参数详解：

  • 东芝半导体公司完整型号：GT30J324(Q)
  • 制造商：东芝半导体（Toshiba Semiconductor，现已更名为Kioxia铠侠）
  • 描述：IGBT 600V 30A 170W TO3PN
  • 系列：-
  • IGBT 类型：-
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）：600V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：30A
  • Current - Collector Pulsed (Icm)：60A
  • 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.45V @ 15V，30A
  • 功率 - 最大值：170W
  • Switching Energy：1mJ （开）， 800J （关）
  • 输入类型：标准
  • Gate Charge：-
  • 25°C 时 Td（开/关）值：90ns/300ns
  • Test Condition：300V， 30A， 24 欧姆， 15V
  • 反向恢复时间 (trr)：60ns
  • 封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3
  • 安装类型：通孔
  • 供应商器件封装：TO-3P（N）
  • GT30J324(Q)均从Kioxia代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
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