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Tagore 推出 650V GaN 功率 IC TP44200NM

Tagore Technology 宣布推出采用紧凑型 22 引脚、5mm x 7mm QFN 封装的 TP44200NM 650V 氮化镓功率 FET,集成驱动器 IC。新器件提供 180mOhm 的低 RDS (ON)和快速开关,可为各种需要高功率密度的应用(包括 USB-PD 充电器、服务器和电信 AC-DC)在小尺寸内提供高效、低成本的电源解决方案电源,功率因数校正(PFC)转换器。

 

TP44200NM 电源 IC 具有 650V E 模式GaN 功率 FET、驱动器、UVLO 和高 dv/dt 抗扰度(带电源和不带电源) - 全部单片集成在 GaN-on-Si 衬底上。该器件具有低传播延迟,适用于高频应用,并通过外部电阻控制压摆率。

 

有关样品、详细规格、价格和交货报价及更多信息,请联系当地的Tagore代理商进行询问。

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