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Silicon Motion宣布推出最新款超高效能、低功耗的 PCIe 4.0 NVMe 1.4 控制芯片解决方案

慧荣科技(Silicon Motion)今日宣布推出一系列最新款超高效能、低功耗的 PCIe 4.0 NVMe 1.4 控制芯片解决方案以满足全方位巿场需求,包括专为高阶旗舰型Client SSD设计的SM2264、为主流SSD市场开发的SM2267,以及适用于入门级新型小尺寸应用的SM2267XT DRAM-Less控制芯片。

 

慧荣科技最新款 SSD 控制芯片解决方案符合 PCIe 4.0 NVMe 1.4 规范,完美展现Gen4的超高效能和低功耗特性,结合慧荣独家的错误码修正 (ECC) 技术、资料路径和 EMI 保护,提供完整、稳定的资料保护,满足储存设备所需的高效稳定需求。全球已有10家重量级客户,包括 NAND 大厂和 SSD OEM 采用慧荣科技的 Gen 4 控制芯片搭载 3D TLC 或 QLC NAND 推出新品。

 

市调公司TrendFocus 副总裁Don Jeanette表示:“众所皆知慧荣科技长期以来一直是SSD控制芯片技术的领导者。在Gen 4规格日渐受到市场重视的同时,该公司于此时推出新品正好抓住最好的时机,而未来几年 Gen 4 势必成为PC、游戏机及其他消费性装置的标准规格。”

 

慧荣科技总经理苟嘉章表示:“PCIe Gen4 将SSD的效能往上推升到另一个层次。我们最新款的 PCIe 4.0 SSD 控制芯片为消费级SSD应用提供一套完整的解决方案,能满足全球 PC OEM 和 SSD模组领导厂商的长远需求。目前,多家 OEM 大厂客户已开始导入我们最新款的 Gen 4 SSD控制芯片在他们的新品开发中,其中已搭载 SM2267 控制芯片的SSD已进入量产阶段。”

 

针对高效能和车用等级的 PCIe Gen 4 解决方案:SM2264支援Gen4 x 4 通道、8个NAND通道设计

 

SM2264主要瞄准高效能和车用级 SSD 应用,搭载四核心ARM® Cortex®-R8 CPU,内含四个 16Gb/s PCIe 资料总线,并支援八个 NAND 通道,每个通道最高可达每秒 1,600 MT。SM2264的先进架构采用12奈米制程,能够大幅提升资料传输速率、降低功耗并提供更严密的资料保护,连续读写效能最高可达 7,400MBs / 6,800 MBs,随机读写速度最高达 1,000K IOPS,提供使用者前所未有的超高效能体验。ARM® Cortex®-R8架构提供高速多执行绪处理能力,可满足新一代储存应用所需的混合工作负载作业需求。SM2264 搭载慧荣科技最新第 7 代 NANDXtend®技术,结合慧荣科技专利的最新高效能4KB LDPC纠错码(ECC)引擎和RAID功能,为最新一代的 3D TLC 和 QLC NAND 提供极佳的错误校正能力。内建 SR-IOV 功能的 SM2264 也是车用级储存装置的理想选择,最多可同时为八台虚拟机器(VM)提供直接的高速 PCIe 界面。SM2264 目前进入客户送样阶段。

 

针对主流和入门级 PCIe Gen 4的解决方案:SM2267 支援Gen4 x 4 通道、4 个 NAND 通道设计; SM2267XT支援Gen4 x 4 通道、4 个 NAND 通道、DRAM-less

 

慧荣科技的 SM2267 和 SM2267XT 满足主流消费级和高性价比 SSD应用需求,具备四个 16Gb/s 通道的 PCIe 和四个 NAND 通道,每个通道的最高速度为 1,200 MT/s,而连续读写效能更可高达每秒 3,900/3,500 MB。SM2267 包含 DRAM 界面,而 SM2267XT DRAM-less 控制芯片可在不影响效能的前提下,满足小尺寸产品设计需求。两者均搭载 NANDXtend® ECC 技术,并支援最新一代 3D TLC 和 QLC NAND,提供高效能、高可靠性,最符合经济效益的 PCIe NVMe SSD 解决方案。SM2267 和 SM2267XT 已进入量产阶段。

 

有关样品、详细规格、价格和交货报价及更多信息,请联系当地的Silicon Motion代理商进行询问。

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