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Sanken推出FMCA系列SiC肖特基势垒二极管

利用 Sanken 的下一代功率半导体 SiC(碳化硅)能实现采用肖特基势垒配置并具有 650 V 击穿电压的产品。

 

FMCA 系列二极管适用于连续电流模式 PFC 电路。 当用击穿电压为 600 V 的快速恢复整流器二极管替换时,该器件能降低恢复电流造成的功率损耗。 因此,该器件的节能效果巨大。 此外,通过其快速切换能力还可实现设备小型化。

 

SiC 肖特基势垒二极管有助于将电源损耗降至最低,如服务器的电源损耗,它会随着大数据处理任务的增加而增大。 该器件还有助于减小电气设备体积。

 

特性:

利用 SiC-SBD 的低恢复损耗特性提高电源能效

低电阻、高速开关式 SiC MOSFET 实现了一种紧凑的高能效电源

由于提升了高温期间的电流,所以不会出现热失控,进而能保持开关性能稳定

南皇电子代理销售Sanken产品
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