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IC制造商行业新闻
聚焦Nexperia安世半导体公司全网新闻事件、热点话题、人物动态、产品资讯(2023年1月30日更新)

Nexperia新的氮化镓技术采用了贯穿外延层的过孔,减少了缺陷并且芯片尺寸可缩小约24%。TO-247 封装的新器件,导通电阻RDS(on)降低到仅 41mΩ(最大值,25℃的典型值为 35mΩ),同时具有高的栅级阀值电压和低反向导通电压。...

Nexperia新款P沟道MOSFET面向极性反接保护;作为高边开关,用于座位调节、天窗和车窗控制等各种汽车应用。它们也适用于5G基站等工业应用场景。...

Nexperia MOSFET采用了DFN0606封装,占位面积仅为0.62 x 0.62 mm,与前一代DFN1006器件相比,节省了超过36%的空间。由于采用了先进工艺流程,这些新器件提供低导通电阻RDS(on),与竞争对手产品相比减小了60%以上...

据披露,Frans Scheper还将在未来一段时间内担任董事长私人顾问,继续帮助实现平稳过渡。董事会谨对首席执行官(之前担任NXP 标准产品事业部总经理)Frans Scheper所取得的成就表示由衷的感谢和尊重。...

安世半导体新款器件采用Nexperia的TrEOS ESD技术与有源可控硅(SCR)技术,USB4TM和Thunderbolt接口设计工程师将会特别感兴趣。该器件可实现极低电容(低至0.1 pF);极低钳位电压 动态电阻低至0.1 Ω)以及非常稳健的防浪涌与ESD性能...

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