氮化镓 (GaN) 功率集成电路 (IC) 的行业领导者Navitas Semiconductor宣布，其采用 GaNSense 技术的 GaNFast 功率 IC已升级以提高效率，功率密度，并进入更多的快速充电器市场。

GaN是下一代半导体技术，其运行速度比传统硅快 20 倍，功率增加 3 倍，节能 40%，充电速度提高 3 倍，而尺寸和重量减半。GaNFast 功率 IC 集成了 GaN 功率和驱动以及保护和控制，以提供简单、小型、快速和高效的性能。超过 3000 万个 GaNFast 电源 IC 已发货，报告的现场故障为零。

采用 GaNSense 的 NV613x 和 NV615x GaNFast 电源 IC 的“额定电压”已从 650V 升级到 700V，以实现连续运行，额定电压为 800V，适用于瞬态条件。更高的额定电压可实现更高效的电力变压器电路设计，并为世界上具有不可靠、变化广泛且具有极端电压尖峰的电网的地区提供更高的功能。自主系统级监控和反应确保在 30 ns 内“检测和保护”——比离散实施快 10 倍。

“GaNFast 功率 IC 已经在移动快速充电器市场提供了最高的可靠性和最高的性能，”Navitas 的首席运营官/首席技术官兼联合创始人 Dan Kinzer 说。“Navitas 的工程、质量和应用团队继续提供领先的下一代技术，采用经过验证的数据驱动方法，使客户能够在电源转换和快速充电器设计方面进行积极创新，并进入扩大的市场我们世界的更多领域。”

更新的数据表和可靠性报告可根据 NDA 立即提供给客户和设计合作伙伴。

有关样品、详细规格、价格和交货报价及更多信息，请联系当地的Navitas代理商进行询问。