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Insignis推出一款高速 CMOS DDR2 同步 DRAM NDB16P

Insignis 的 DDR2 SDRAM 器件采用了其专有的扩展测试流程，可确保在升高的结温下工作。

Insignis 通过工业和扩展测试的 DDR2 SDRAM 图片NDB16P 是一款经过 Insignis 专有的扩展测试流程检测的高速 CMOS DDR2 同步 DRAM，可减少早期故障，并具有确保工业用途的优秀质量和长期可靠性。这些器件设计符合 DDR2 DRAM 的关键特性，如公布的 CAS# 具有附加延迟、写延迟 = 读延迟 - 1 以及片内端接 (ODT) 。

所有控制和地址输入都与一对外部提供的差分时钟同步。输入在差分时钟的交叉点（CK 上升和 CK# 下降）被锁定。所有 I/O 都以源同步方式与一对双向选通（DQS 和 DQS#）信号同步。

以交错方式操作存储体允许随机访问操作以比标准 DRAM 可能更高的速率发生。可启用自动预充电功能，以提供一个在猝发序列结束时激活的自定时行预充电。根据猝发长度、CAS 延迟和器件的速度等级，可以实现顺序和无间隙数据速率。

特性

Insignis 专有的扩展测试流程提高了质量，确保了在升高的结温下正常运行

JEDEC 标准直接替代零件

提供符合 AECQ-100 的版本

提供 512 Mb、1 Gb 和 2 Gb 容量

工作温度范围

扩展测试 (ET) ：0°C 至 +85°C

工业 (IT)：-40°C 至 +95°C（最高可达 105°C）

差分时钟 CK 和 /CK

双向单/差分数据选通