海力士半导体公司（hynix ）今天宣布，将开始使用其领先的 0.10 微米工艺技术在其下一代 Golden Chip 平台上开始批量生产。

使用其 0.10 微米金芯片工艺技术，海力士将主要专注于 512Mb DDR 和 512Mb DDR2 SDRAM 的生产，随后将在 2003 年下半年推出 1Gb DDR2 SDRAM。海力士最初使用其 256Mb DDR SDRAM 来开发和评估其金芯平台技术。“我们预计 0.10 微米工艺将占 2003 年海力士产量的近 20%，到 2004 年将达到 65%，”SK Hynix代理商海力士全球营销副总裁 Farhad Tabrizi 说。

海力士目前的大部分生产都在使用其 Prime Chip .13 微米平台。通过有效利用现有设备，Golden Chip 技术允许以最少的资本支出额外投资量产 0.10 微米技术产品。该公司估计，与竞争对手相比，使用其 0.10 微米技术将减少 50% 的总体投资需求，与 0.13 微米 Prime Chip 技术相比，每片晶圆的裸片数量将增加 40%，从而保持海力士的竞争力在成本和技术上的地位。