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GeneSiC宣布推出业界领先的3300V和1700V分立SiC MOSFET

GeneSiC宣布推出业界领先的3300V和1700V分立SiC MOSFET,这些MOSFET经过优化可实现无与伦比的小型化, 工业家政电源的可靠性和节能.

 

GeneSiC半导体, 碳化硅综合产品的先驱和全球供应商 (碳化硅) 功率半导体, 今天宣布推出下一代3300V和1700V1000mΩSiC MOSFET – G2R1000MT17J, G2R1000MT17D, 和G2R1000MT33J. 这些SiC MOSFET可实现卓越的性能水平, 基于旗舰功绩指标 (FoM) 增强和简化跨储能系统的电力系统, 再生能源, 工业马达, 通用逆变器和工业照明. 发布的产品有:

 

G2R1000MT33J – 3300V1000mΩTO-263-7 SiC MOSFET

 

G2R1000MT17D – 1700V1000mΩTO-247-3 SiC MOSFET

 

G2R1000MT17J – 1700V1000mΩTO-263-7 SiC MOSFET

 

G3R450MT17D – 1700V450mΩTO-247-3 SiC MOSFET

 

G3R450MT17J – 1700V450mΩTO-263-7 SiC MOSFET

 

GeneSiC的新型3300V和1700V SiC MOSFET, 提供1000mΩ和450mΩ选项的SMD和通孔分立封装, 针对要求提高效率水平和超快开关速度的电源系统设计进行了高度优化. 与竞争产品相比,这些设备具有更好的性能水平. 有保证的质量, 快速周转的大批量制造的支持进一步增强了其价值主张.

 

“在1500V太阳能逆变器等应用中, 辅助电源中的MOSFET可能必须承受2500V的电压, 取决于输入电压, 变压器匝数比与输出电压. 高击穿电压MOSFET消除了反激式中串联开关的需求, 升压和正激转换器,从而减少了零件数量并降低了电路复杂度. GeneSiC的3300V和1700V分立SiC MOSFET允许设计人员使用更简单的基于单开关的拓扑,同时为客户提供可靠的, 紧凑而经济的系统” 苏米特·贾达夫(Sumit Jadav)说, GeneSiC Semiconductor高级应用经理.

 

特征 –

 

优越的性价比指数

旗舰QG 设DS(上) 品质因数

低固有电容和低栅极电荷

在所有温度下损耗低

高雪崩和短路强度

基准阈值电压,可在高达175°C的常态下稳定运行

应用领域 –

 

可再生能源 (太阳能逆变器) 和储能

工业马达 (和债券)

通用变频器

工业照明

压电驱动器

离子束发生器

 

所有设备均可通过授权GeneSiC代理商购买

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