与齐纳二极管钳位相比，该电路在<最大 100nA，具有比低压齐纳二极管低得多的静态电流。与齐纳替代品相比，它还具有更好的电压对电流 (IV) 特性和更精确的电压。...

针对越来越多地使用六个 2V 电池的 12V 电池应用，开发人员通常需要将超级电容器串联或并联堆叠。SABMB6 最多允许连接六个电池，从而降低短路和电池故障的风险。...

ALD 的 SABMB2 双通道板使用 ALD9100xx 双 SAB MOSFET 自动平衡堆栈中的每个单独的超级电容器单元。该板允许系统设计人员和开发人员控制每个电池的漏电流和平衡电压，从而防止过压损坏。...

ALD新的 MOSFET 简化了电路偏置方案并减少了元件数量，同时为物联网工程师提供了更高的传感器应用精度和灵敏度。在匹配的传感器应用中，P 沟道 MOSFET 可以与 ALD N 沟道零阈值 MOSFET 器件一起工作。...

ALD2331/ALD2331A/ALD2331B 系列电压比较器提供超低失调电压和失调电流。该比较器采用先进的硅栅 EPAD® CMOS 技术构建，适用于高性能、高精度模拟应用...