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图片信息

SQJ951EP-T1-GE3
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基本技术信息:

技术参数详解:

  • Vishay威世半导体原厂型号:SQJ951EP-T1-GE3
  • 制造商:威世半导体(Vishay Semiconductor)
  • 描述:MOSFET 2P-CH 30V 8A PPAK
  • 系列:自动, AEC-Q101, TrenchFET
  • FET 类型:2 个 P 沟道(双)
  • FET 功能:标准
  • 漏源极电压 (Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):30A
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):17 mOhm @ 7.5A, 10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):50nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1680pF @ 10V
  • 功率 - 最大值:56W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:PowerPAK SO-8 双
  • 供应商器件封装:PowerPAK SO-8 Dual
  • SQJ951EP-T1-GE3均从Vishay代理或经过认证的可靠渠道采购,长期充足现货,确保原装正品!
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