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图片信息

SQD50N06-09L-GE3
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基本技术信息：

技术参数详解：

  • Vishay威世半导体原厂型号：SQD50N06-09L-GE3
  • 制造商：威世半导体（Vishay Semiconductor）
  • 描述：MOSFET N-CH 60V 50A TO252
  • 系列：TrenchFET
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss)：60V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：50A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：9 毫欧 @ 20A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：72nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：3065pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：136W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
  • 供应商器件封装：TO-252，（D-Pak）
  • SQD50N06-09L-GE3均从Vishay代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
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