深圳市南皇电子有限公司长期提供SISF02DN-T1-GE3（品牌: Vishay）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
制造商产品型号：SISF02DN-T1-GE3制造商：Vishay Siliconix描述：MOSFET DUAL N-CH 25V 1212-8系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：TrenchFET? Gen IV零件状态：有源FET类型：2 N 沟道（双）共漏FET功能：标准漏源电压（Vdss）：25V25°C时电流-连续漏极(Id)：30.5A（Ta），60A（Tc）不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3.5 毫欧 @ 7A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：56nC @ 10V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2650pF @ 10V功率-最大值：5.2W（Ta），69.4W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：PowerPAK? 1212-8SCDSISF02DN-T1-GE3均从Vishay代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
