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图片信息

SIEH3812EW-T1-GE3
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基本技术信息：

技术参数详解：

  • 型号:SIEH3812EW-T1-GE3
  • 品牌:Vishay Ametherm (Vishay,威世)
  • 封装:PowerPAK 8x8SW
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSF
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）:80 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):29A（Ta），322A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.75 毫欧 @ 20A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:231 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）:±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7780 pF @ 40 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:3.4W（Ta），417W（Tc）
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:PowerPAK 8x8SW
  • 封装/外壳:8-PowerTDFN
  • SIEH3812EW-T1-GE3均从Vishay代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
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