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图片信息

SIA907EDJT-T4-GE3
Vishay 订单到达，马上发货

基本技术信息：

技术参数详解：

  • 型号:SIA907EDJT-T4-GE3
  • 品牌:Vishay Ametherm (Vishay,威世)
  • 封装:PowerPAK SC-70-6
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:DUAL P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 配置:2 个 P 沟道（双）
  • FET 功能:-
  • 漏源电压（Vdss）:20V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.5A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:57 毫欧 @ 3.6A，4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.4V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:23nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
  • 功率 - 最大值:7.8W
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:PowerPAK SC-70-6
  • 供应商器件封装:PowerPAK SC-70-6
  • SIA907EDJT-T4-GE3均从Vishay代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
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