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图片信息

SIA813DJ-T1-GE3
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基本技术信息：

技术参数详解：

  • 制造商产品型号：SIA813DJ-T1-GE3
  • 制造商：威世半导体（Vishay Semiconductor）
  • 描述：MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：LITTLE FOOT
  • 零件状态：有源
  • FET类型：P 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：20V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：4.5A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：94 毫欧 @ 2.8A，4.5V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：13nC @ 8V
  • Vgs（最大值）：±8V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：355pF @ 10V
  • FET功能：肖特基二极管（隔离式）
  • 功率耗散（最大值）：1.9W（Ta），6.5W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：PowerPAK SC-70-6 双
  • SIA813DJ-T1-GE3均从Vishay代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
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