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图片信息

SI8465DB-T2-E1
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基本技术信息：

技术参数详解：

  • 制造商产品型号：SI8465DB-T2-E1
  • 制造商：威世半导体（Vishay Semiconductor）
  • 描述：MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：TrenchFET
  • 零件状态：有源
  • FET类型：P 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：20V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：2.5A（Ta）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，4.5V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：104 毫欧 @ 1.5A，4.5V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：18nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±12V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：450pF @ 10V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：780mW（Ta），1.8W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：4-Microfoot
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