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图片信息

SI7901EDN-T1-GE3
Vishay 订单到达，马上发货

基本技术信息：

技术参数详解：

  • 制造商产品型号：SI7901EDN-T1-GE3
  • 制造商：威世半导体（Vishay Semiconductor）
  • 描述：MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 1212-8
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 产品系列：TrenchFET
  • 零件状态：停产
  • FET类型：2 个 P 沟道（双）
  • FET功能：逻辑电平门
  • 漏源电压（Vdss）：20V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：4.3A
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：48 毫欧 @ 6.3A，4.5V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 800A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：18nC @ 4.5V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
  • 功率-最大值：1.3W
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：PowerPAK 1212-8 双
  • SI7901EDN-T1-GE3均从Vishay代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
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