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图片信息

SI7501DN-T1-GE3
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基本技术信息：

技术参数详解：

  • 制造商产品型号：SI7501DN-T1-GE3
  • 制造商：威世半导体（Vishay Semiconductor）
  • 描述：MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 产品系列：*
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 和 P 沟道，共漏
  • FET功能：逻辑电平门
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：5.4A，4.5A
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：35 毫欧 @ 7.7A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：14nC @ 10V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
  • 功率-最大值：1.6W
  • 工作温度：-
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：PowerPAK 1212-8 双
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