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图片信息

IRLR8103TRR
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基本技术信息：

技术参数详解：

  • 制造商产品型号：IRLR8103TRR
  • 制造商：威世半导体（Vishay Semiconductor）
  • 描述：MOSFET N-CH 30V 89A DPAK
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：HEXFET
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：89A（Ta）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：7 毫欧 @ 15A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2V @ 250A（最小）
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：50nC @ 5V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：-
  • 工作温度：-
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：D-Pak
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