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1N65G（品牌: UMW）充足现货订购、免费样品
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技术参数详解：
- 型号:1N65G
- 品牌:UMW (UMW)
- 封装:SOT-223
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:SOT-223 N-CHANNEL POWER MOSFET
- 包装:剪切带（CT）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1A（Tj）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 欧姆 @ 500mA，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.8 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:150 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:-
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:SOT-223
- 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
- 1N65G均从UMW代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
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