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图片信息

TPCC8105,L1Q(CM
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基本技术信息:

技术参数详解:

  • 制造商产品型号:TPCC8105,L1Q(CM
  • 制造商:东芝半导体(Toshiba Semiconductor,现已更名为Kioxia铠侠)
  • 描述:MOSFET P-CH 30V 23A 8TSON
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:U-MOSVI
  • 零件状态:有源
  • FET类型:P 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):23A(Ta)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):7.8 毫欧 @ 11.5A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):2V @ 500A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):76nC @ 10V
  • Vgs(最大值):+20V,-25V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):3240pF @ 10V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):700mW(Ta),30W(Tc)
  • 工作温度:150°C
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:8-TSON Advance(3.3x3.3)
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