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图片信息

TK12P60W,RVQ(S
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基本技术信息:

技术参数详解:

  • 制造商产品型号:TK12P60W,RVQ(S
  • 制造商:东芝半导体(Toshiba Semiconductor,现已更名为Kioxia铠侠)
  • 描述:MOSFET N-CH 600V 11.5A DPAK
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:DTMOSIV
  • 零件状态:有源
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):600V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):11.5A(Ta)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):340 毫欧 @ 5.8A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):3.7V @ 600A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):25nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±30V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):890pF @ 300V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):100W(Tc)
  • 工作温度:150°C
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:DPAK
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