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图片信息

SSM6N42FE(TE85L,F)
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基本技术信息:

技术参数详解:

  • 型号:SSM6N42FE(TE85L,F)
  • 品牌:Toshiba Semiconductor and Storage (东芝半导体,现已更名为Kioxia铠侠)
  • 封装:ES6
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 配置:2 N-通道(双)
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源电压(Vdss):20V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):800mA
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):240 毫欧 @ 500mA,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):2nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):90pF @ 10V
  • 功率 - 最大值:150mW
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
  • 供应商器件封装:ES6
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