深圳市南皇电子有限公司长期提供CSD16327Q3T（品牌: TI）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
制造商产品型号：CSD16327Q3T制造商：Texas Instruments描述：MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：NexFET?零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：25V25°C时电流-连续漏极(Id)：60A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：3V，8V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：4 毫欧 @ 24A，8V不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.4V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：8.4nC @ 4.5VVgs（最大值）：+10V，-8V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1300pF @ 12.5VFET功能：-功率耗散（最大值）：74W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：8-VSON-CLIP（3.3x3.3）CSD16327Q3T均从TI代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
