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图片信息

FDN306P
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基本技术信息：

技术参数详解：

  • 型号:FDN306P
  • 品牌:Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. (Slkormicro,深圳思立微半导体有限公司)
  • 封装:SOT-23
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:12V 2.6A 40M@4.5V,2.6A 500MW 1.5
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:P 通道
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）:12 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.6A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:40 毫欧 @ 2.6A，4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.3 nC @ 4.5 V
  • Vgs（最大值）:±8V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1015 pF @ 9 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:500mW（Tc）
  • 工作温度:150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:SOT-23
  • 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • FDN306P均从Slkor代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
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