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图片信息

2SJ662-DL-E
Sanyo Denki 订单到达，马上发货

基本技术信息：

技术参数详解：

  • 型号:2SJ662-DL-E
  • 品牌:Sanyo Denki公司 (Sanyo Denki America Inc., 山洋电气)
  • 封装:-
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:MOSFET P-CH
  • 系列:*
  • 包装:散装
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:-
  • 技术:-
  • 漏源电压（Vdss）:-
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):-
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
  • Vgs（最大值）:-
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:-
  • 工作温度:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:-
  • 供应商器件封装:-
  • 封装/外壳:-
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