STGYA120M65DF2（ST）-深圳市南皇电子有限公司

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图片信息

基本技术信息：

电子器件型号：STGYA120M65DF2

原始制造厂商：ST，意法半导体

技术标准参数：TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S

产品应用分类：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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技术参数详解：

制造商产品型号：STGYA120M65DF2

制造商：STMicroelectronics

描述：TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S

系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

产品系列：M

零件状态：有源

IGBT类型：NPT，沟槽型场截止

电压-集射极击穿（最大值）：650V

电流-集电极(Ic)（最大值）：160A

电流-集电极脉冲(Icm)：360A

不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：1.95V @ 15V，120A

功率-最大值：625W

开关能量：1.8mJ（开），4.41mJ（关）

输入类型：标准

栅极电荷：420nC

25°C时Td（开/关）值：66ns/185ns

测试条件：400V，120A，4.7 欧姆，15V

反向恢复时间(trr)：202ns

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：通孔

封装：TO-247-3

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