STGWA30N120KD（ST）-深圳市南皇电子有限公司

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图片信息

基本技术信息：

电子器件型号：STGWA30N120KD

原始制造厂商：ST，意法半导体

技术标准参数：IGBT 1200V 60A 220W TO247

产品应用分类：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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技术参数详解：

制造商产品型号：STGWA30N120KD

制造商：STMicroelectronics

描述：IGBT 1200V 60A 220W TO247

系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

产品系列：PowerMESH?

零件状态：停产

IGBT类型：-

电压-集射极击穿（最大值）：1200V

电流-集电极(Ic)（最大值）：60A

电流-集电极脉冲(Icm)：100A

不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：3.85V @ 15V，20A

功率-最大值：220W

开关能量：2.4mJ（开），4.3mJ（关）

输入类型：标准

栅极电荷：105nC

25°C时Td（开/关）值：36ns/251ns

测试条件：960V，20A，10 欧姆，15V

反向恢复时间(trr)：84ns

工作温度：-55°C ~ 125°C（TJ）

安装类型：通孔

封装：TO-247-3

STGWA30N120KD均从ST代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！

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