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图片信息
STGP30H65F图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:STGP30H65F
  • 原始制造厂商:ST,意法半导体
  • 技术标准参数:IGBT 650V 60A 260W TO-220AB
  • 产品应用分类:单路IGBT
  • 点击此处下载STGP30H65F的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • ST意法半导体公司完整型号:STGP30H65F
  • 制造厂家名称:STMicroelectronics
  • 描述:IGBT 650V 60A 260W TO-220AB
  • 系列:-
  • IGBT 类型:沟道和场截止
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):650V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A
  • Current - Collector Pulsed (Icm):120A
  • 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):2.4V @ 15V,30A
  • 功率 - 最大值:260W
  • Switching Energy:350μJ (开), 400μJ (关)
  • 输入类型:标准
  • Gate Charge:105nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值:50ns/160ns
  • Test Condition:400V, 30A, 10 欧姆, 15V
  • 反向恢复时间 (trr):-
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:TO-220
  • STGP30H65F均从ST代理或经过认证的可靠渠道采购,长期充足现货,确保原装正品!
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