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图片信息

STDRIVEG600W
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基本技术信息:

技术参数详解:

  • 型号:STDRIVEG600W
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:触片
  • 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器
  • 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE DIE
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:在售
  • 南皇电子 可编程:-
  • 驱动配置:半桥
  • 通道类型:独立式
  • 驱动器数:2
  • 栅极类型:GaN FET,MOSFET(N 沟道)
  • 电压 - 供电:4.75V ~ 20V
  • 逻辑电压- VIL,VIH:1.45V,2V
  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):5.5A,6A
  • 输入类型:非反相
  • 高压侧电压 - 最大值(自举):620 V
  • 上升/下降时间(典型值):7ns,5ns
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:模具
  • 供应商器件封装:触片
  • STDRIVEG600W均从ST代理或经过认证的可靠渠道采购,长期充足现货,确保原装正品!
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