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图片信息

RBK04U04GNS-0000#HBH
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基本技术信息:

技术参数详解:

  • 型号:RBK04U04GNS-0000#HBH
  • 品牌:Renesas Design Germany GmbH (Renesas,瑞萨电子)
  • 封装:8-HSON(5x6)
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:POWER TRS2 LIB 8P HVSON ANL4 OTH
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 配置:2 N 沟道(双)共漏
  • FET 功能:-
  • 漏源电压(Vdss):40V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):35A(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):1.5 毫欧 @ 18A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):111nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):6900pF @ 10V
  • 功率 - 最大值:83W(Tc)
  • 工作温度:150°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-PowerTDFN
  • 供应商器件封装:8-HSON(5x6)
  • RBK04U04GNS-0000#HBH均从Renesas代理或经过认证的可靠渠道采购,长期充足现货,确保原装正品!
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