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图片信息

NP82N04NUG-S18-AY
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基本技术信息：

技术参数详解：

  • 制造商产品型号：NP82N04NUG-S18-AY
  • 制造商：瑞萨电子（Renesas Electronics）
  • 描述：MOSFET N-CH 40V 82A TO262
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：40V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：82A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：4.2 毫欧 @ 41A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：160nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：9750pF @ 25V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：1.8W（Ta），143W（Tc）
  • 工作温度：175°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 器件封装：TO-262
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