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图片信息
NE85619-T1-A图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:NE85619-T1-A
  • 原始制造厂商:Renesas,瑞萨电子
  • 技术标准参数:RF TRANSISTOR NPN SOT-523
  • 产品应用分类:RF 晶体管(BJT)
  • 点击此处下载NE85619-T1-A的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • Renesas瑞萨完整型号: NE85619-T1-A
  • 制造厂家名称: CEL (已被Renesas瑞萨收购)
  • 功能总体简述: RF TRANSISTOR NPN SOT-523
  • 系列: -
  • 晶体管类型: NPN
  • 电压 - 集射极击穿(最大值): 12V
  • 频率 - 跃迁: 4.5GHz
  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值): 1.2dB @ 1GHz
  • 增益: 9dB
  • 功率 - 最大值: 100mW
  • 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值): 80 @ 7mA,3V
  • 电流 - 集电极(Ic)(最大值): 100mA
  • 安装类型: 表面贴装
  • 封装/外壳: SOT-523
  • 供应商器件封装: SOT-523
  • NE85619-T1-A均从Renesas代理或经过认证的可靠渠道采购,长期充足现货,确保原装正品!
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