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图片信息

HAT2279N-EL-E
Renesas 订单到达，马上发货

基本技术信息：

技术参数详解：

  • Renesas瑞萨完整型号：HAT2279N-EL-E
  • 制造商：瑞萨电子（Renesas Electronics）
  • 描述：MOSFET N-CH 80V 30A 5LFPAK
  • 系列：-
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss)：80V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：30A（Ta）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：12.3 毫欧 @ 15A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：60nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：3520pF @ 10V
  • 功率 - 最大值：25W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-PowerSOIC（0.156"，3.95mm）
  • 供应商器件封装：8-LFPAK-iV
  • HAT2279N-EL-E均从Renesas代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
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