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图片信息

HAT2279HWS-E
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基本技术信息：

技术参数详解：

  • 制造商产品型号：HAT2279HWS-E
  • 制造商：瑞萨电子（Renesas Electronics）
  • 描述：MOSFET N-CH 80V 30A 5LFPAK
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：80V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：30A（Ta）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：12 毫欧 @ 15A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 1mA
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：60nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3520pF @ 10V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：25W（Tc）
  • 工作温度：150°C
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：5-LFPAK
  • HAT2279HWS-E均从Renesas代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
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