深圳市南皇电子有限公司长期提供HAT2160N-EL-E（品牌: Renesas）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
Renesas瑞萨完整型号：HAT2160N-EL-E制造厂家名称：Renesas Electronics America描述：MOSFET N-CH 20V 60A LFPAKI系列：-FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：20V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：60A（Ta）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：3.1 毫欧 @ 30A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：50nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：7600pF @ 10V功率 - 最大值：-安装类型：表面贴装封装/外壳：8-PowerSOIC（0.156"，3.95mm）供应商器件封装：8-LFPAK-iVHAT2160N-EL-E均从Renesas代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
