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图片信息
SP8J3TB图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:SP8J3TB
  • 原始制造厂商:ROHM,罗姆
  • 技术标准参数:MOSFET 2P-CH 30V 3.5A 8-SOIC
  • 产品应用分类:FET - 阵列
  • 点击此处下载SP8J3TB的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • ROHM罗姆半导体完整型号: SP8J3TB
  • 制造厂家名称: Rohm Semiconductor
  • 功能总体简述: MOSFET 2P-CH 30V 3.5A 8-SOIC
  • 系列: -
  • FET 类型: 2 个 P 沟道(双)
  • FET 功能: 逻辑电平门
  • 漏源极电压(Vdss): 30V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 3.5A
  • 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 90 毫欧 @ 3.5A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 5.5nC @ 5V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 490pF @ 10V
  • 功率 - 最大值: 2W
  • 安装类型: 表面贴装
  • 封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装: 8-SOIC N
  • SP8J3TB均从ROHM代理或经过认证的可靠渠道采购,长期充足现货,确保原装正品!
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